第三代半導體材料氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)，因擁有小尺寸、耐高溫、耐高壓等特性，將帶動電源、工業、電動車等應用邁向下一個新時代，被動元件業者普遍看好，中高壓、高容值被動元件需求可望跟進成長趨勢，需求同步放大。

氮化鎵應用包括5G 基地臺與手機、電源、電動車等三大領域，碳化硅相較氮化鎵，更耐高溫、耐高壓，較適合應用于嚴苛的環境，應用包括不斷電系統、智慧電網、電源供應器等高功率應用領域。

被動元件業者分析， 第三代半導體材料發展勢必同步帶動大功率被動元件需求，以氮化鎵為例，由于氮化鎵Mosfet 具有小巧、高效、發熱低等特點，電源內部設計空間因此增加，原本尺寸小的電解電容及Disc 安規電容，皆將轉換為大尺寸MLCC 。

研調機構分析資料顯示，氮化鎵市場規模從今年到2022 年，年復合成長率(CAGR) 高達60%;碳化硅到2022 年的年復合成長率也高達40%，也可望帶動大尺寸、高功率的被動元件需求隨之增加。

此外，目前不論蘋果或是安卓系手機，都朝快充領域發展，業者認為，預計到2022 年，快充可望普及化，對中壓高容的MLCC 需求大幅提升;另外，電動車充電則是特高壓應用，兩者都是未來趨勢，相關被動元件廠也積極展開布局。

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